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核心技術
Hybrid Bond & Fusion Bond
長光圓辰具備8寸BSI產品加工完整生產線，可以覆蓋鍵合前處理、鍵合、退火、減薄、濕法腐蝕、化學機械研磨、原子層沉積、ARC層沉積、Pad Open全部工藝過程，大大提高了圖像傳感器的量子效率。
| 項目 | 工藝能力 |
| 鍵合力 | ≥1.8J/m2 |
| 空洞 | ≤0.5% |
| 對準精度 | ≤800nm |
| 減薄TTV | ≤3um |
| Final TTV | ≤0.5um |
| ARC均勻性 | ≤3% |
| Pad Open精度 | ≤2um |
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晶圓信息客戶提供CIS以及Handle wafer
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特點高對準精度可達800nm以內，CIS需要客戶提供表面平坦化晶圓
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工藝流程晶圓鍵合+晶圓減薄+ARC層沉積（可開發 Pad Open 工藝）